遨问创投是化合积电半导体科技(厦门)有限公司种子轮融资的联合领投方,化合积电半导体科技(厦门)有限公司成立于 2020 年,旨在开发和制造宽禁带半导体材料和器件。 Compound Semiconductor 的核心产品包括晶圆级金刚石散热片、金刚石基 GaN 外延片、AlN-on-sapphire 模板等正在开发中。

 随着更高功率设备的开发,这些设备的热管理变得越来越具有挑战性。金刚石散热片可用作​高功率射频器件和光电子器件、半导体激光器和功率导体的散热解决方案。 ​金刚石散热片的导热系数为1000-2000 W/(m·K),与目前的陶瓷材料(如AlN、BeO和Al2O3)、金属材料(如Al和Cu)和复合材料(如AlSiC)。 

化合积电采用世界一流的 MPCVD 工艺生产金刚石散热器。它的 MPCVD 反应器具有高生长速率的专有设计,并且它的后生长处理产生了极好的表面光洁度质量。

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Diamond Heat Sink production at Compound Semiconductor

除了金刚石散热衬底,化合积电还开发了磁控溅射设备和工艺,用于在蓝宝石衬底上沉积 AlN 模板以用于 UVC 应用。氮化铝(AlN)是少数具有高导热性的非金属材料之一,具有广阔的市场应用,化合积电正在与合作伙伴共同开发:

  • 蓝宝石基/硅基AlN在紫外LED、紫外检测芯片、紫外激光器、5G射频前端滤波器和国防、航空航天等领域有重要应用。​_d04a07d8-9cd1-3239- 9149-20813d6c673b_

  • AlN薄膜在RF前端滤波器、UV LED、Mini LED应用中处于市场爆发增长期​​

  • BAW 滤波器:就尺寸而言,滤波器是射频前端领域中最大的子行业。 ​

遨问创投管理合伙人周敏博士在评论本次投资时表示:“遨问创投长期以来一直对化合物半导体感兴趣,并在全球范围内评估了该领域的许多初创企业。让我们对化合积电感到非常兴奋的是它自己专有的反应器设计和制造工艺,结合起来将使公司能够扩大制造规模并降低散热器或模板的成本。这些半导体材料对于大功率器件和UVC LED,但它们需要以合理的成本和高质量制造。我们相信,在其企业合作伙伴的大力支持下,化合物半导体有潜力成为此类材料的全球领导者。我们很自豪能够支持公司在其先进的研究、规模化制造和应用开发”。 

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​厦门化合积电半导体